[发明专利]发光二极管及制造该发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201280045164.5 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103828073A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;赵大成;李俊燮;李圭浩;印致贤 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/22;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金光军;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开发光二极管及制造该发光二极管的方法。该发光二极管包含：第一导电型半导体层；多个台面，在所述第一导电型半导体层上相隔而布置，且分别包含活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于各个所述多个台面上，且欧姆连接于第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层，且与所述台面电绝缘，且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部，并欧姆接触于所述第一导电型半导体层。据此，可提供改善了电流分散性能的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包含：第一导电型半导体层；多个台面，在所述第一导电型半导体层上相隔而布置，且分别包含活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于所述多个台面之每一个上，欧姆接触于第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层，且与所述台面电绝缘，且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部，并欧姆接触于所述第一导电型半导体层。
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