[发明专利]用于蚀刻与蚀刻掩模纵向间隔开的材料的方法有效
| 申请号： | 201280044812.5 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103917484A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | K.L.杨;T.D.陈 | 申请（专利权）人： | 应美盛股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H04R19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 易皎鹤;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 微加工过程在晶片上形成多个层。该多个层包括支承层和给定层两者。过程还至少部分在支承层上形成掩模，其具有掩模孔。在该配置中，支承层安置在掩模孔与给定层之间，并且使掩模孔与给定层纵向间隔开。过程还通过掩模孔将特征蚀刻到给定层内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 纵向 间隔 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种微加工过程，包括：在晶片上形成多个层，所述多个层包括支承层和给定层；至少部分在所述支承层上形成掩模，所述掩模具有掩模孔，所述支承层在所述掩模孔与所述给定层之间，所述支承层使所述掩模孔与所述给定层纵向间隔开；以及通过所述掩模孔将特征蚀刻到所述给定层内。
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