[发明专利]制造III族氮化物半导体激光器件的方法

摘要

一种制造具有半极性面的III族氮化物半导体激光器件的方法，其可以稳定地提供能降低激光阈值电流的激光谐振腔反射镜。在刀片（5g）的行进方向（PR）与支撑板（H）的正面（Ha）正交的状态下，支撑板（H）在c-m面上从m轴朝向由行进方向（PR）和a轴定义的参考面（Ab）以角度（THETA）倾斜，并且此外，定位刀片（5g），使得与包括了在多个刻划标记（5b）之中的最末端刻划标记（5b1）和衬底产品（5）的正面（5a）之间的交叉部（P1）并沿方向（PR）延伸的面重叠。在角度（ALPHA）的定义范围是从71至79度或从101至109度的情况下，角度（THETA）的范围为从11至19度，并且因此沿行进方向（PR）延伸的参考面（Ab）沿与c轴正交的c面延伸。

主权项

一种制造III族氮化物半导体激光器件的方法，包括如下步骤：制备具有衬底和半导体区域的衬底产品，所述衬底包括六方晶系III族氮化物半导体并且包括半极性主面，所述半导体区域被设置在所述半极性主面上并包括有源层；刻划所述衬底产品的第一面，以形成沿所述六方晶系III族氮化物半导体的a轴延伸的多个刻划标记；以及利用劈裂系统来从所述衬底产品形成激光棒和衬底产品残留物，其中所述劈裂系统具有：支撑所述衬底产品的支撑板；以及在所述衬底产品由所述支撑板支撑时，通过所述衬底产品的与所述第一面相反的第二面朝向所述支撑板向下压迫的刀片，所述支撑板具有正面、与所述正面相反的背面、以及从所述正面延伸至所述背面的孔部，所述衬底产品被放置于所述正面上，所述孔部在与沿所述支撑板的所述正面延伸并由所述支撑板限定的参考轴正交的方向上延伸，所述孔部在与所述参考轴正交的方向上的跨距比所述第一面的直径长，并且形成所述激光棒和所述衬底产品残留物的步骤包括：将所述衬底产品固定在所述支撑板上，使得在所述多个刻划标记之中的最末端刻划标记位于所述孔部上方并沿所述孔部延伸；在所述刀片的行进方向与所述支撑板的所述正面正交时，将所述支撑板在由所述六方晶系III族氮化物半导体的c轴和m轴定义的c‑m面中，从所述m轴朝向由所述刀片的所述行进方向和所述a轴定义的参考面以角度THETA倾斜；在与所述a轴正交的方向上定位所述刀片，使得所述刀片与包括了在所述最末端刻划标记和所述第一面之间的交叉部并沿所述刀片的所述行进方向延伸的面重叠；并且使所述刀片通过所述衬底产品的所述第二面向下压迫，其中，使刀片向下压迫通过的所述第二面的部分沿a轴延伸，指示所述c轴方向的c轴向量从所述半极性主面的法向向量以角度ALPHA倾斜，所述角度ALPHA的范围是从71度至79度或从101度至109度，所述角度THETA的范围是从11度至19度，所述激光棒从所述第一面延伸至所述第二面，并且具有通过分离形成的第一和第二端面，所述第一和第二端面与所述c‑m面交叉，并且所述第一和第二端面用作所述III族氮化物半导体激光器件的激光谐振腔。