[发明专利]具有增强的镜反射率的LED结构有效

专利信息
申请号: 201280041229.9 申请日: 2012-04-20
公开(公告)号: CN103765615B 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 迈克尔·伯格曼恩;马修·多诺弗里奥;斯滕·海克曼;凯文·S·施奈德;凯文·W·哈贝雷恩;约翰·A·埃德蒙 申请(专利权)人: 克利公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,张英
地址: 美国北卡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的实施方式总体上涉及通过降低邻接镜接触件的阻挡层的光吸收效应而具有改善的总发射的LED芯片。在一个实施方式中,LED芯片(200)包括一个或多个LED,各LED具有有源区、在具有高反射镜(206)的所述有源区下面第一接触件、和邻接镜的阻挡层(208)。阻挡层小于镜,使得它未延伸超过镜的周围。在另一个可行的实施方式中,还配置绝缘体(210),绝缘体邻接阻挡层并且邻接不与有源区或阻挡层接触的镜的部分。在又另一个实施方式中,在有源区上配置第二接触件(222、224)。在另一个实施方式中,阻挡层小于镜,使得镜的周围至少40%没有阻挡层,而且第二接触件在第一接触件下方并且可从芯片的底部接入。
搜索关键词: 具有 增强 反射率 led 结构
【主权项】:
一种LED芯片,包括:一个或多个LED,所述LED的每一个包括:有源区;在所述有源区下方的第一接触件,所述接触件包括高反射镜;以及邻接所述镜的阻挡层,所述阻挡层小于所述镜,使得它没有延伸超过所述镜的周围;以及绝缘体,其邻接所述阻挡层的与所述镜相反的侧的至少一部分、所述有源区和所述镜的不与所述阻挡层接触的至少一部分。
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