[发明专利]用于制造平面图案化透明接触件和/或包含它的电子器件的技术无效

专利信息
申请号: 201280040986.4 申请日: 2012-06-07
公开(公告)号: CN103733368A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 阿列克谢·克拉斯诺夫;威廉·邓·波尔 申请(专利权)人: 葛迪恩实业公司
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/52;G02F1/1343;H05B33/28;H01L33/40;H01L31/0224;G06F3/045;B32B17/10
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黎艳;何冲
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于制造图案化的基本透明的接触膜的改进方法,以及通过这样的方法制造的接触膜。在某些情况下,所述接触膜可以是图案化和基本平面的。因此,所述接触膜可以被图案化而不像例如光蚀刻法所需要的那样有意地从所述层和/或薄膜移除任何材料。在某些实施例中,可以将至少包含两个层(13’,17)的氧交换系统沉积在基材上,并且可以将所述层选择性地暴露于热和/或能量(23),以促进氧离子或原子从具有较高生成焓的层转移到具有较低生成焓的层。在某些情况下,所述氧转移可以使所述膜(13’)的选择的部分的电导率改变。这可以有利地产生在电导率和/或电阻率方面图案化的平面接触膜。
搜索关键词: 用于 制造 平面 图案 透明 接触 包含 电子器件 技术
【主权项】:
一种制造包含由基材承载的多层薄膜涂层的涂层制品的方法,所述方法包括:将种子层配置在所述基材上;将含银导电层配置在所述种子层上;将过氧化层配置在所述导电层的上方;将所述涂层的选定区域暴露于辐射能,以使所述涂层中的目标层至少部分吸收所述辐射能;以及允许被所述目标层吸收的光子转移到所述过氧化层,以便引起(a)所述过氧化层与所述导电层之间的离子和/或原子交换,和/或(b)所述导电层内的银聚集,所述离子和/或原子交换和/或所述银聚集引起所述导电层的对应于选定区域的部分中导电层的电导率的变化。
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