[发明专利]用于制造平面图案化透明接触件和/或包含它的电子器件的技术

说明书

相关申请

本申请是均于2011年6月30日提交的美国申请系列号13/174,349和13/174,362的部分连续案（CIP），所述美国申请的全部内容并入本文以供参考。

 技术领域

本发明涉及制造图案化的基本透明的接触膜的方法，以及通过这样的方法制造的接触膜和/或电子器件。在某些示例性情况下，所述接触膜可以被图案化但仍保持基本平面。换句话说，所述接触膜可以被图案化而不像例如光蚀刻法等的方法可能需要的那样有意地从所述层和/或薄膜移除任何材料。。

 发明背景和某些实施例的概述

电子器件在本领域中是已知的。电子器件中的一种类型是显示器件，其可以包括例如LCD（液晶显示器）器件、LED（发光二极管）器件、OLED（有机发光二极管）器件、等离子体显示器、平板显示装置、触摸屏装置等。在某些情况下，电子器件可以包括图案化的透明电极、薄膜和/或接触件。已知的，在某些情况下，“图案化的”可以意味着在电导和/或电阻方面图案化。在某些情况下，这些图案化的薄膜可以是可寻址的（例如通过TFT阵列），并且可以包含薄膜的导电和电阻部分的格栅和/或矩阵样图案。在许多情况下，可能希望提供包含导电和电阻部分两者的电极和/或接触件，以使显示器件和/或触摸屏装置恰当地发挥作用，例如有源矩阵LCD装置。

 用于电子器件的常规图案化透明接触件的制造，通常包括沉积连续的透明导电氧化物层（TCO），然后通过多步光蚀刻法移除部分TCO。例如，通常通过溅射将铟锡氧化物（ITO）作为覆盖层沉积在玻璃基材上。溅射的覆盖层通常使用光蚀刻法进行图案化，所述光蚀刻法包括施加光阻材料（通常通过旋涂）、软烘烤、曝光、硬烘烤、蚀刻和清洗。

 图1是常规图案化接触件的横截面图。正如图1所示， TCO（例如ITO等）作为覆盖层配置在基材1上。通过光蚀刻法将TCO图案化成多个分隔开并且图案化的岛状区3，由此形成了透明接触件。已知的，上述步骤会形成阶梯图案，并且接触件不是连续平面的。

 尽管光蚀刻法被广泛使用，但它具有自身的缺点。例如，光蚀刻法包括许多步骤和许多中间材料，增加了与产品相关的时间和成本。总的来说，该方法还可能增加图案化层形成期间缺陷的概率，例如光阻材料未对准、烘烤的问题、不正确的曝光和/或蚀刻、光阻材料移除不完全等产生的结果。光蚀刻法通常还留下尖锐的阶梯或“角”，其能够影响随后施加的层和/或材料。作为实例，有机发光二极管（OLED）可能对这种影响特别敏感。此外，由于在某些情况下TCO材料可能具有与它沉积在其上的基材的折射率不同的的折射率，因此当部分TCO被移除时，基材和/或涂层的视觉外观将由于TCO涂层的部分存在以及其折射率差异而显得不均匀。事实上，典型的TCO通常具有约2.0的折射率，而承载性玻璃基材通常具有约1.5的折射率。因此，光蚀刻法可能引起制品的视觉外观的不均匀的现象，这是另一个缺点。ITO本身成本高，并且属于危险材料的铟在地球上的供应也越来越少。由于ITO本身是危险的，光蚀刻法还被认为具有潜在有害的环境影响，预定将部分移除的覆盖层的沉积会产生大量材料废物，重复地施加掩模和之后的移除也产生废物等。

 因此，本领域技术人员都知道，提供用于形成图案化接触件的改进方法和/或通过这样的方法制造的电子器件，是合乎需要的。

 某些实施例涉及利用辐射热或其他相似方法选择性图案化天然平面薄膜透明导电接触件。

 某些实施例的还涉及使用紫外（UV）射线传递能量至目标层以引起氧迁移。可以与某些实施例结合使用的示例性层组堆，可能缺少在IR光谱中具有良好吸收的层。换句话说，所述的示例性涂层组堆与某些实施例结合使用的层，可能对IR辐射热不具有高吸收性。加热玻璃然后将能量重新分配到Ag层和注氧层，可能降低方法的有效性和图案化接触件的分辨率。因此，某些实施例可能通过暴露在UV光（例如UV激光）下来实现向目标层的能量传递。某些实施例的目标层可能是由Zn和/或Sn的氧化物构成或包含它们的“种子”半导体层，其能够吸收UV然后将它重新分配到Ag-“注入层”对。在不同实施例中， Ag层本身可以是一个或所述目标层。

 某些实施例的还涉及可能包含至少两个相邻层的透明接触件，其中所述第一层是高导电率和高透过率（至少在可见光谱中），其中导电率很大程度上取决于氧化状态，并且所述第二层是能够在高温下与所述第一层交换离子或原子形式的氧的透明层。