[发明专利]整流装置、晶体管以及整流方法有效
| 申请号： | 201280039425.2 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103718303A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 好田诚;新田淳作;小林研介 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种整流装置，具备：一维沟道(18)，其由半导体构成且用于电子移动；电极(26)，其通过对所述一维沟道施加电场，对在所述一维沟道中移动的电子使起因于自旋轨道相互作用的有效磁场在与所述电子移动的方向交叉的方向上生成；和外部磁场生成部(38)，其对所述一维沟道生成外部磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 整流 装置 晶体管 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种整流装置，其特征在于，具备：一维沟道，其由半导体构成且用于电子移动；电极，其通过对所述一维沟道施加电场，对于在所述一维沟道中移动的电子，在与所述电子移动的方向交叉的方向上生成起因于自旋轨道相互作用的有效磁场；和外部磁场生成部，其对所述一维沟道生成外部磁场。
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