[发明专利]具有用于激光图案化的集成光热阻挡层的薄膜结构和装置有效
申请号: | 201280038837.4 | 申请日: | 2012-08-08 |
公开(公告)号: | CN103733311B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 宋道英;冲·蒋;秉·圣·利奥·郭;约瑟夫·G·戈登 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01M10/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层,并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层,以减少流入下层金属层的热量,使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm,或在一些实施方式中,使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。 | ||
搜索关键词: | 具有 用于 激光 图案 集成 光热 阻挡 薄膜 结构 装置 | ||
【主权项】:
1.一种通过一个或更多个激光束选择性除去介电层和/或半导体层的激光直接图案化薄膜装置的方法,包含:提供薄膜装置,所述薄膜装置包含:基板;第一装置层,所述第一装置层覆盖所述基板;第一热阻挡层,所述第一热阻挡层覆盖所述第一装置层,第一光阻挡层,所述第一光阻挡层覆盖所述第一热阻挡层;和第二装置层,所述第二装置层覆盖所述第一光阻挡层;其中所述第一光阻挡层是吸收或反射朝向所述第二装置层并穿透所述第一装置层的来自第一激光束的一部分所述激光能量的金属层,并且所述第一热阻挡层是具有热扩散系数D的导电层,所述热扩散系数D足够低以减少从所述第一装置层流入所述第二装置层的热量,使得所述第一装置层的温度在以所述第一激光束激光直接图案化期间达到所述第一装置层的熔化温度Tm';和使用所述第一激光束激光直接图案化所述薄膜装置,所述激光直接图案化除去所述第一装置层的激光照射部分,其中所述第一激光束在到达所述第一热阻挡层之前穿过所述第一装置层,并且其中与所述第一装置层的所述照射部分对应的所述第一热阻挡层、所述第一光阻挡层和所述第二装置层的各部分随着所述第一装置层的所述照射部分的除去而除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造