[发明专利]掺杂剂注入层

摘要

本发明使用了用于电子器件的等电位源层，其中该等电位源层提供优先注入该电子器件的活性层的带电荷离子，从而该被注入的离子的电荷正负与应用到该等电位源层的相对偏压的正负相同。该源层可包括复合材料离子掺杂剂注入层，其包括至少一种对离子具有相对高的扩散系数的组分。该复合材料离子掺杂剂注入层可包括金属性导电颗粒和离子支撑基质。该复合材料离子掺杂剂注入层还可包括连续的金属性导电网络和离子支撑基质。该金属性网络包括金属性纳米线或导电纳米管。该离子支撑基质包括导电聚合物。

主权项

一种电子器件，其包含：第一电极和第二电极；和位于所述第一电极和第二电极之间的活性层；其中所述电子器件配置为跨第一电极和第二电极施加偏压；其中所述第一电极被掺杂从而形成等电位源层，其中所述等电位源层提供优先注入该活性层的带电荷离子，以及其中这种被注入的离子的电荷具有与施加到该等电位源层的相对偏压的符号相同的符号；所述第一电极包括复合材料离子掺杂剂注入层，所述复合材料离子掺杂剂注入层包括至少一种对离子具有相对高的扩散系数的组分,并且所述复合材料离子掺杂剂注入层包括连续的金属性导电网络和离子支撑基质。