[发明专利]形成含石墨烯的开关的方法有效

专利信息
申请号: 201280036869.0 申请日: 2012-06-27
公开(公告)号: CN103703563A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 古尔特杰·S·桑胡 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的一些实施例包括形成含石墨烯的开关的方法。可在基座上方形成底部电极,且可形成第一导电结构以从所述底部电极向上延伸。可沿所述第一导电结构的侧壁形成介电材料,同时使所述底部电极的一部分保持暴露。可形成石墨烯结构以与所述底部电极的暴露部分电耦合。可在所述石墨烯结构与所述第一导电结构相对的一侧上形成第二导电结构。可在所述石墨烯结构上方形成顶部电极,且所述顶部电极与所述第二导电结构电耦合。所述第一和第二导电结构可经配置以跨所述石墨烯结构提供电场。
搜索关键词: 形成 石墨 开关 方法
【主权项】:
一种形成开关的方法,其包括:在基座上方形成底部电极;直接在所述底部电极上方形成第一导电结构;沿所述第一导电结构的侧壁形成介电材料,所述第一导电结构和所述介电材料一起覆盖所述底部电极的第一部分且使所述底部电极的第二部分保持暴露;形成石墨烯结构,其与所述底部电极的暴露部分电耦合、沿着所述介电材料且通过所述介电材料与所述第一导电结构横向隔开;在所述石墨烯结构与所述第一导电结构相对的一侧上形成第二导电结构,所述第二导电结构直接位于所述底部电极上方;在所述石墨烯结构上方形成顶部电极;所述底部电极与所述第一和第二导电结构中的一者电耦合,所述顶部电极与所述第一和第二导电结构中的另一者电耦合;且其中所述第一和所述第二导电结构经配置以跨所述石墨烯结构提供电场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280036869.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top