[发明专利]形成含石墨烯的开关的方法有效
申请号: | 201280036869.0 | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN103703563A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 古尔特杰·S·桑胡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的一些实施例包括形成含石墨烯的开关的方法。可在基座上方形成底部电极,且可形成第一导电结构以从所述底部电极向上延伸。可沿所述第一导电结构的侧壁形成介电材料,同时使所述底部电极的一部分保持暴露。可形成石墨烯结构以与所述底部电极的暴露部分电耦合。可在所述石墨烯结构与所述第一导电结构相对的一侧上形成第二导电结构。可在所述石墨烯结构上方形成顶部电极,且所述顶部电极与所述第二导电结构电耦合。所述第一和第二导电结构可经配置以跨所述石墨烯结构提供电场。 | ||
搜索关键词: | 形成 石墨 开关 方法 | ||
【主权项】:
一种形成开关的方法,其包括:在基座上方形成底部电极;直接在所述底部电极上方形成第一导电结构;沿所述第一导电结构的侧壁形成介电材料,所述第一导电结构和所述介电材料一起覆盖所述底部电极的第一部分且使所述底部电极的第二部分保持暴露;形成石墨烯结构,其与所述底部电极的暴露部分电耦合、沿着所述介电材料且通过所述介电材料与所述第一导电结构横向隔开;在所述石墨烯结构与所述第一导电结构相对的一侧上形成第二导电结构,所述第二导电结构直接位于所述底部电极上方;在所述石墨烯结构上方形成顶部电极;所述底部电极与所述第一和第二导电结构中的一者电耦合,所述顶部电极与所述第一和第二导电结构中的另一者电耦合;且其中所述第一和所述第二导电结构经配置以跨所述石墨烯结构提供电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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