[发明专利]用于生长III-V外延层的方法和半导体结构在审
| 申请号： | 201280035805.9 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103797581A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | J·德鲁恩;S·迪格鲁特;M·杰曼 | 申请（专利权）人： | 埃皮根股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在衬底上生长III-V外延层的方法、一种包括衬底的半导体结构、包括这样的半导体结构的设备、和电路。诸如例如HEMT等的III族氮化物设备，包括在两个有源层之间，例如在GaN和AlGaN之间的2DEG。这些晶体管工作在耗尽模式操作中，这意味着必须耗尽沟道来将晶体管截止。对于诸如例如功率开关或集成逻辑等的某些应用，负极性栅极电源是不期望的。然后，晶体管可以工作在增强模式（E模式）中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 iii 外延 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体III‑V结构的方法，包括提供有源层，提供用作所述有源层的掩膜的保护层叠层，包括III‑V蒸发层，其中，所述蒸发层优选地具有2‑10nm厚的厚度，例如5nm，位于所述蒸发层顶部的III‑V蚀刻停止层，以及位于所述蚀刻停止层顶部的掩膜层。
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