[发明专利]使用基板载具的混合激光与等离子体蚀刻晶圆切割

摘要

本发明描述了切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有多个集成电路。方法包括以下步骤：在半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。半导体晶圆由基板载具支撑。随后用激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而曝露半导体晶圆在集成电路之间的区域。随后在由基板载具支撑时穿过图案化掩模中的间隙蚀刻半导体晶圆，以切割集成电路。

主权项

一种切割包括多个集成电路的半导体晶圆的方法，所述方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模包括覆盖及保护所述集成电路的层，且所述半导体晶圆由基板载具支撑；用激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而曝露所述半导体晶圆在所述集成电路之间的区域；用保护板覆盖所述基板载具的一部分，所述保护板使所述半导体晶圆的至少一部分曝露；以及在由所述基板载具支撑时穿过所述图案化掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以切割所述集成电路。