[发明专利]使用基板载具的混合激光与等离子体蚀刻晶圆切割

权利要求书

1.一种切割包括多个集成电路的半导体晶圆的方法，所述方法包括以下步骤：

在所述半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模包括覆盖及保护所述集成电路的层，且所述半导体晶圆由基板载具支撑；

用激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而曝露所述半导体晶圆在所述集成电路之间的区域；以及

在由所述基板载具支撑时穿过所述图案化掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以切割所述集成电路。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括以下步骤：

在所述蚀刻步骤之前，用保护板覆盖所述基板载具的一部分，所述保护板使所述半导体晶圆的至少一部分曝露。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，用所述保护板覆盖的步骤在所述蚀刻步骤之前但在所述激光划线工艺之后执行。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，用所述保护板覆盖的步骤在所述激光划线工艺与所述蚀刻步骤两者之前执行。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板载具包括由带环围绕的背衬带层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆设置于管芯(die)附接膜上，所述管芯附接膜设置于所述基板载具上，所述方法进一步包括以下步骤：

在所述管芯附接膜设置于所述基板载具上时图案化所述管芯附接膜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用所述激光划线工艺图案化所述掩模的步骤包括以下步骤：用基于飞秒的激光划线工艺图案化所述掩模。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆的厚度为约100微米或小于100微米。

9.一种蚀刻反应器，所述蚀刻反应器包括：

腔室；

感应耦合等离子体(ICP)源，所述ICP源定位于所述腔室上方；以及

终端受动器，所述终端受动器用于将基板载具移送进出所述腔室。

10.如权利要求9所述的蚀刻反应器，其特征在于，所述蚀刻反应器进一步包括：

保护板致动器，所述保护板致动器与所述腔室耦接；

阴极总成，所述阴极总成与所述腔室耦接；以及

捕获环致动器，所述捕获环致动器与所述腔室耦接。

11.如权利要求9所述的蚀刻反应器，其特征在于，所述蚀刻反应器进一步包括：

节流阀，所述节流阀与所述腔室耦接；以及

涡轮分子泵，所述涡轮分子泵与所述腔室耦接。

12.一种用于切割包括多个集成电路的半导体晶圆的系统，所述系统包括：

工厂界面(factory interface)；

激光划线设备，所述激光划线设备与所述工厂界面耦接且包括激光器；以及

等离子体蚀刻反应器，所述等离子体蚀刻反应器与所述工厂界面耦接，所述等离子体蚀刻反应器包括腔室及终端受动器，所述终端受动器用于将基板载具移送进出所述腔室。

13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述等离子体蚀刻反应器进一步包括：

保护板致动器，所述保护板致动器与所述腔室耦接；

阴极总成，所述阴极总成与所述腔室耦接；以及

捕获环致动器，所述捕获环致动器与所述腔室耦接。

14.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述等离子体蚀刻反应器进一步包括：

节流阀，所述节流阀与所述腔室耦接；以及

涡轮分子泵，所述涡轮分子泵与所述腔室耦接。

15.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述激光划线设备经配置以执行半导体晶圆的集成电路之间的街道的激光烧蚀，且其中所述等离子体蚀刻反应器经配置以在所述激光烧蚀之后蚀刻所述半导体晶圆，以切割所述集成电路。