[发明专利]制造碳化硅的方法有效
| 申请号： | 201280033392.0 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103827029A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | B.阿莱奥纳尔;S.迪皮埃罗;M.施瓦茨 | 申请（专利权）人： | 欧洲耐火材料制品公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄念;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造SiC的方法，其中尽量减少污染气体的排放，通过用过量碳还原硅氧化物，所述方法包括通过电加热在由选自石油焦的碳基源和硅源，尤其是纯度大于95%的SiO2的二氧化硅组成的原材料混合物中心处的电阻器以便在高于1500℃的温度下引发该简化反应：SiO2+3C=SiC+2CO （1），所述方法的特征在于所属碳基源首先经受除去所含氢的处理，以使其元素氢含量（EHWC）低于2重量%。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
制造SiC的方法，其中减少污染气体的排放，包括通过电加热在由碳‑基源和硅源组成的原材料混合物中心处的电阻器以便在高于1500℃的温度下引发该简化反应，由此用碳还原硅氧化物，其中，碳‑基源选自焦炭，尤其是石油焦，硅源尤其是纯度大于95%SiO2的二氧化硅：SiO2 + 3C = SiC + 2CO （1），所述方法的特征在于所述碳‑基源预先经受除去所含氢的处理，以使其元素氢含量（EHWC）低于2重量%。
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