[发明专利]保护电路有效
| 申请号： | 201280032461.6 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103635995B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 金丸正树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H04B1/04;H04B1/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有变压器(11)作为保护电路，变压器(11)的端子(11a)连接到无线IC的端子部(1)，端子(11b)连接到接地点，端子(11c)连接到片上电路(7)的输入或输出，端子(11d)连接到偏置电源电路(18)。端子侧电感(11f)和电路侧电感(11g)之间，通过磁耦合来传输信号，被DC绝缘而完全分开，从而对端子部(1)和片上电路(7)的输入或输出，可提供不同的DC电位。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 | ||
【主权项】：
保护电路，包括在电子电路的端子部和所述电子电路的输入或输出之间设置的、具有被磁耦合的多个电感的变压器，所述变压器的端子侧电感的一端连接到所述端子部，另一端接地，所述电子电路是差动结构的电路，所述变压器的电路侧电感具有中点端子，一端连接到所述差动结构一方的电子电路的输入或输出，另一端连接到所述差动结构的另一方的电子电路的输入或输出，所述中点端子连接到所述电子电路的偏置电源电路，所述偏置电源电路是具有连接到栅极的漏极、以及被接地的源极，并在所述栅极及所述漏极中产生期望的DC电位的晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
