[发明专利]提供溅射颗粒的增强电离的高功率脉冲磁控溅射方法以及用于其实施的装置有效
| 申请号： | 201280030375.1 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103608483A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | M.莱赫塔勒 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康贸易股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/34;H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;胡莉莉 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 用于执行HIPIMS涂层工艺的方法，借此减少目标和衬底之间的最小距离5直到达到在涂层工艺期间在衬底处的实质上最大的偏置电流，并且由此与传统的HIPIMS涂层工艺相比显著地改进了涂层质量且增大沉积速率。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 溅射 颗粒 增强 电离 功率 脉冲 磁控溅射 方法 以及 用于 实施 装置 | ||
【主权项】：
一种用于执行HIPIMS涂层工艺的方法，其包括以下步骤：·将具有要被涂覆的表面的至少一个衬底布置在涂覆设备的涂覆室的内部中，所述涂覆设备包括至少一个目标，所述至少一个目标是借助于HIPIMS技术要在涂层工艺期间被操作的涂层材料源，以要被涂覆的表面在涂层工艺期间的至少一段时间期间能够被定位于目标前面的这种方式来布置衬底，·操作HIPIMS涂覆设备以便对至少一个衬底进行涂覆，由此在涂层工艺期间将偏置电压施加于所述衬底并且因此生成能够在所述衬底处被测量的偏置电流，所述方法的特征在于，调整在要被涂覆的表面最靠近目标时给出的在衬底和目标之间的最小距离（5），以便以下面这样的方式达到优化的最小距离：偏置电流在涂覆期间在衬底处被测量的情况下实质上达到最大值，同时工艺等离子体状况保持稳定。
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