[发明专利]二极管以及包括该二极管的微电子装置

摘要

本申请涉及一种光电二极管。所述光电二极管具有位于第一电极（104）与第二电极（106）之间的至少一个有源区域（102，202），所述有源区域包括细长的导电或半导体元件（111、113、211、213、311、313），所述细长的导电或半导体元件在电极之间延伸并且用来提高所述有源区域中电荷载体的聚集和输运。

主权项

一种二极管，所述二极管包括位于第一电极与第二电极之间的有源区域，所述有源区域由至少一种半导体材料形成，所述有源区域进一步包括一个或者多个由细长的导电区域形成的导电或者半导体元件，所述细长的导电区域在所述有源区域的材料中且在所述电极之间沿着与所述电极成非零角的方向延伸，所述元件与所述电极不接触，并且在所述元件中，一个或者多个第一元件基于提高空穴传导的第一材料，一个或者多个第二元件基于提高电子传导的第二材料，所述第一元件和所述第二元件所基于的材料与所述有源区域的区带中的材料不同，所述第一元件和所述第二元件与所述区带相接触，所述第一材料的空穴电导率比所述有源区域中的所述材料的空穴电导率高，并且提高电子传导的所述第二材料的电导率比所述有源区域中的所述材料的电子电导率高。