[发明专利]在裁切晶粒附着膜或其它材料层之前，蚀刻激光切割半导体

摘要

本发明先利用激光裁切与蚀刻的组合，接着通过裁切一下方材料层(例如，晶粒附着膜(DAF)或是金属)来改善半导体晶粒破损强度与良率。一第二激光制程或是一第二激光蚀刻制程可能会被用来裁切所述下方材料层。在切割所述下方材料层之前先实施侧壁蚀刻会在所述侧壁蚀刻制程期间减少或防止所述切口侧壁上的碎屑。一薄晶圆裁切激光系统可能包含单一激光处理头解决方式或是双激光处理头解决方式，以便符合总处理量必要条件。

主权项

一种裁切半导体晶圆的方法，所述半导体晶圆包含一顶端表面与一底部表面，所述底部表面会被附着至一下方材料层，所述方法包括：产生一第一激光射束；让所述第一激光射束相对于所述半导体晶圆的所述顶端表面进行相对移动，以便沿着一或多条裁切道从所述顶端表面处至少部分裁切所述半导体晶圆，所述第一激光射束会在所述半导体晶圆之中形成由侧壁所定义的一切口；蚀刻已至少部分裁切的所述半导体晶圆的所述侧壁，用以缩减或移除因所述第一激光射束在所述侧壁之中所产生的一热影响区带(HAZ)；以及沿着一或多条所述裁切道来切割贯穿所述下方材料层，以便将一晶粒与具有至少一预设晶粒破损强度的所述半导体晶圆分离并且产生至少等于一预设最小良率的操作晶粒的一良率，所述侧壁蚀刻是在切割贯穿所述下方材料层之前先被实施，以便在所述侧壁的蚀刻期间减少或防止所述侧壁上来自所述下方材料层的碎屑。