[发明专利]接合线用铜线材及接合线用铜线材的制造方法有效
| 申请号： | 201280028930.7 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103608910A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 熊谷训;中本齐 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B21C1/00;C22C9/00;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的接合线用铜线材为用于形成线径为180μm以下的接合线的铜线材。铜线材的线材直径为0.15mm以上3.0mm以下。铜线材具有如下组成，即以总计在0.0001质量%以上0.01质量%以下的范围内含有选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Zr、Ti及稀土元素中的一种以上的添加元素，且余量为铜及不可避免杂质。铜线材中，特殊晶界比率（Lσ/L）为50%以上，所述特殊晶界比率为以EBSD法测定的特殊晶界的长度Lσ相对于全部晶界的长度L的比率。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 铜线 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种接合线用铜线材，其为用于形成线径为180μm以下的接合线的铜线材，其特征在于，线材直径为0.15mm以上3.0mm以下，并具有如下组成，即以总计在0.0001质量%以上0.01质量%以下的范围内含有选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Zr、Ti及稀土元素中的一种以上的添加元素，且余量为铜及不可避免杂质，特殊晶界比率Lσ/L为50%以上，所述特殊晶界比率为以EBSD法测定的特殊晶界的长度Lσ相对于全部晶界的长度L的比率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
