[发明专利]具有含凹陷电极的光耦合层的发光器件无效
| 申请号： | 201280028464.2 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103765613A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 林朝坤;严莉;C-W·庄 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光器件包括n型半导体材料的第一层、p型半导体材料的一第二层以及介于该第一层与该第二层之间的一源层。光耦合结构被布置为与该第一层和该第二层中的一个相邻。在某些情况中，该光耦合结构被布置为与该第一层相邻。该光耦合结构内形成延伸至该第一层的孔洞。形成于该孔洞内的电极与该第一层电连通。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹陷 电极 耦合 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：基板；p型III‑V族半导体层，其与所述基板相邻；有源层，其与所述p型半导体层相邻；n型III‑V族半导体层，其与所述有源层相邻；光耦合结构，其与所述n型III‑V族半导体层相邻，所述光耦合结构包括一种或多种III‑V族半导体材料，其中，所述光耦合结构包括孔洞，所述孔洞延伸至所述n型III‑V族半导体层；以及电极，其形成于所述孔洞中，所述电极与所述n型III‑V族半导体层电连通。
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