[发明专利]低轮廓局部互连及其制造方法有效
| 申请号： | 201280025984.8 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103563086A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | S.波诺思;D.V.霍拉克;C.W.科伯格;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种结构。该结构包括：多个场效应晶体管，这些场效应晶体管具有形成在半导体基板的顶部上的栅极堆叠，栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁；以及一个或多个导电接触，直接形成在半导体基板的顶部上，并且将多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极互连到多个场效应晶体管的另一个的至少一个源极/漏极，其中一个或多个导电接触是低轮廓局部互连的一部分，低轮廓局部互连的高度低于栅极堆叠的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 轮廓 局部 互连 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：多个场效应晶体管（100a、100b、100c），具有形成在半导体基板（101）顶部上的栅极堆叠（106），所述栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁（201）；以及一个或多个导电接触（601、602），直接形成在所述半导体基板的顶部上，并且将所述多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极（202）互连到另一个所述多个场效应晶体管的至少一个源极/漏极（202），其中所述一个或多个导电接触是低轮廓局部互连（LPLI）的一部分，所述LPLI的高度低于所述栅极堆叠的高度。
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