[发明专利]接合结构体

摘要

在以Bi为主要成分的焊接材料的接合结构体中，改善应力缓和性，防止接合部中产生裂纹或剥离。在经由以Bi为主要成分的接合材料（104）将半导体元件（102）与Cu电极（103）相接合而构成的接合结构体（106）中，经由杨氏模量从接合材料（104）向被接合材料（半导体元件（102）、Cu电极（103））倾斜增大的层叠体（209a），将半导体元件（102）与Cu电极（103）相接合，从而确保与使用功率半导体模块时的温度周期中所产生的热应力相对的应力缓和性。

主权项

一种接合结构体，所述接合结构体利用以Bi为主要成分的接合材料来将半导体元件与Cu电极相接合，其特征在于，由所述接合材料和形成于该接合材料表面的中间层构成层叠体，隔着该层叠体将半导体元件表面的Cu与所述Cu电极相接合，在将所述半导体元件表面的Cu的杨氏模量设为E1、将所述中间层的杨氏模量设为E2、将所述接合材料的杨氏模量设为E3、将所述Cu电极的杨氏模量设为E4的情况下，以使得各杨氏模量E1～E4同时满足以下条件（p1）、（q1）E3＜E2＜E1…（p1）E3＜E2＜E4…（q1）或其中的一个条件的方式，对所述半导体元件及所述Cu电极构成所述层叠体。