[发明专利]研磨垫及其制造方法

摘要

本发明提供一种研磨垫及其制造方法，该研磨垫改善在使用习知的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的划痕问题，且该研磨垫的研磨速率或研磨均匀性优异，不仅可应对一次研磨，而且亦可应对最后研磨。本发明的半导体器件研磨用研磨垫含有研磨层，该研磨层具有包含大致球状气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，上述研磨垫的特征在于：上述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的M成分的自旋-自旋弛豫时间T2为160μs～260μs，上述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在40℃、初始负荷10g、应变范围0.01％～4％、测定频率0.2Hz、拉伸模式下的储藏弹性模数E′为1MPa～30MPa，并且上述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。

主权项

一种半导体器件研磨用研磨垫，所述研磨垫具备研磨层，所述研磨层具有包含大致球状气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，所述研磨垫的特征在于：所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在通过利用最小平方法而从自旋‑自旋弛豫时间T2长的成分中依次减去以脉冲NMR获得的自由感应衰减信号(FID)，进行波形分离，而从所述自旋‑自旋弛豫时间T2长的成分起依次分为L(非晶相)、M(界面相)、S(结晶相)的3成分的情况下，所述M成分的自旋‑自旋弛豫时间T2M为160μs～260μs，所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在40℃、初始负荷10g、应变范围0.01％～4％、测定频率0.2Hz、拉伸模式下的储藏弹性模数E′为1MPa～30MPa，并且所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。