[发明专利]干法蚀刻方法及器件制造方法

摘要

本发明实现了层叠在介电材料上的导电材料的蚀刻速度（蚀刻速率）的加速，并改进了与作为底的介电材料的选择比。将包括卤素气体和氧气的混合气体用作蚀刻气体。将氧气在混合气体中的混合比设定为大于等于30%且小于等于60%。在将混合气体提供到腔室中并生成等离子体时，将腔室中的气压设定为大于等于1Pa且小于5Pa。将频率大于等于800kHz且小于4MHz的偏置电压作为偏置电压施加到导电材料层叠在介电材料上的蚀刻材料，以执行蚀刻。

主权项

一种对层叠在介电材料上的导电材料进行蚀刻的干法蚀刻方法，其特征在于包括：使用包括卤素气体和氧气的混合气体作为蚀刻气体，所述混合气体中所述氧气的混合比大于等于30%，且小于等于60%；在将所述混合气体提供到腔室中并生成等离子体时，将所述腔室中的气压设定在大于等于1Pa且小于5Pa的范围内；以及将频率大于等于800kHz且小于4MHz的偏置电压作为偏置电压施加到蚀刻材料并执行蚀刻，其中在所述蚀刻材料中，所述导电材料层叠在所述介电材料上。