[发明专利]用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法有效
| 申请号： | 201280024311.0 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103547654A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 洪亨杓;李在连;林大成 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/02 | 分类号： | C09K13/02;C23F1/24;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杨黎峰;石磊 |
| 地址： | 韩国全罗*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法。所述用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物包括碱性化合物；多糖；与多糖一起的最佳含量的脂肪酸、脂肪酸的金属盐或者它们的混合物，以在晶体硅片的表面上均匀地形成具有微锥体结构的纹理，以便在降低光反射的同时最大化太阳能的吸收，从而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 硅片 纹理 蚀刻 溶液 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物，按重量百分比计，包括：碱性化合物：0.1%至20%；多糖：10‑9%至10%；脂肪酸、脂肪酸的金属盐或者它们的混合物：10‑9%至10%；和水：余量至100%。
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