[发明专利]用于熔融半导体材料的容器及其制造方法无效
| 申请号： | 201280020156.5 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103635614A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | G·B·库克;K·E·贺迪纳;C·S·托马斯;J·F·小怀特 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发明涉及构造成装纳熔融半导体材料的容器。所述容器包括高纯度熔凝二氧化硅内衬和靠近内衬外表面的熔凝二氧化硅背衬，所述高纯度熔凝二氧化硅内衬具有限定了内部空间的基底和侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 熔融 半导体材料 容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种构造成装纳熔融半导体材料的容器，所述容器包括：包含第一熔凝二氧化硅的内衬，所述内衬具有限定了内部空间的基底和侧壁；以及包含第二熔凝二氧化硅的背衬，该背衬靠近所述内衬的外表面，其中所述内衬的总杂质含量小于或等于100ppbw，并且所述第一熔凝二氧化硅的孔隙率小于所述第二熔凝二氧化硅的孔隙率。
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