[发明专利]喷墨用二氧化硅系被膜形成组合物、二氧化硅系被膜的形成方法、半导体设备及太阳能电池系统无效

专利信息
申请号: 201280019477.3 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN103492499A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 冈田悠平;吉川贵浩;野部茂 申请(专利权)人: 日立化成株式会社
主分类号: C09D11/00 分类号: C09D11/00;C09D11/02;B41M5/00;H01L21/312;H01L31/04
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种喷墨用二氧化硅系被膜形成组合物,其含有硅化合物、溶剂和表面调节剂,溶剂含有γ-丁内酯、沸点为80~100℃的第二溶剂以及沸点为180~230℃的第三溶剂,相对于溶剂的总质量,所述γ-丁内酯的质量比为0.2以上,相对于溶剂的总质量,第二溶剂的质量比为0.2~0.5。
搜索关键词: 喷墨 二氧化硅 系被膜 形成 组合 方法 半导体设备 太阳能电池 系统
【主权项】:
一种喷墨用二氧化硅系被膜形成组合物,其特征在于,其含有硅化合物、溶剂和表面调节剂,所述硅化合物为将如下单体成分水解、缩聚而得到的硅化合物,所述单体成分含有:通式(I):PhSiX3所表示的化合物,式中,Ph表示也可具有取代基的苯基,X表示水解性基团,多个存在的X可以相同也可不同,通式(II):R1nSiX4‑n所表示的化合物,式中,R1表示碳原子数1~20的烷基,X表示水解性基团,n表示0或1的整数,多个存在的X可以相同也可不同,以及通式(III):R22SiX2所表示的化合物,式中,R2表示碳原子数1~20的有机基团,X表示水解性基团,多个存在的R2以及X各自可以相同也可不同;所述溶剂含有γ‑丁内酯、沸点为80~100℃的第二溶剂以及沸点为180~230℃的第三溶剂,相对于所述溶剂的总质量,所述γ‑丁内酯的质量比为0.2以上,相对于所述溶剂的总质量,所述第二溶剂的质量比为0.2~0.5。
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