[发明专利]利用量子点的LED器件有效
| 申请号： | 201280015644.7 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103430337B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | M.安克 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,刘春元 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了一种LED照明器件，其利用LED芯片上方的层中的量子点。该量子点层和LED芯片以梯度折射率布置，使得每个层的折射率优选地小于紧接的下一层或芯片的折射率。在较长波长处具有发射峰值的量子点优选地被布置在较靠近LED芯片的较低层中；而在较短波长处具有发射峰值的量子点被布置在较远离LED芯片的较高层中。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 量子 led 器件 | ||
【主权项】：
一种照明器件，包括：光源，所述光源具有源折射率；设置在所述光源上方的第一发光层，所述第一发光层具有第一有效折射率，所述第一发光层包括分散在第一基质材料中的第一量子点组分，所述第一有效折射率等于或小于所述源折射率；设置在所述第一发光层上方的第二发光层，所述第二发光层具有第二有效折射率，所述第二发光层包括分散在第二基质材料中的第二量子点组分，所述第二有效折射率小于所述第一有效折射率；以及设置在所述第二发光层上方的氧化物层，所述氧化物层的有效折射率小于所述第二发光层的第二有效折射率。
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