[发明专利]基板处理装置无效

专利信息
申请号: 201280015602.3 申请日: 2012-03-07
公开(公告)号: CN103460812A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 吉田达彦;长谷川雅己;长田智明 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C16/507;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 袁玥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种基板处理装置,用于以电浆处理基板,包括:容器,包括形成处理所述基板的处理空间的第一容器部件,以及第二容器部件,第二容器部件形成其中生成电浆的电浆生成空间,并且在第二容器部件安装在第一容器部件上的状态下,所述电浆生成空间与所述处理空间连通;气体导入单元,用于将气体导入到所述容器中;电浆生成单元,包括天线,该天线设置在所述容器的外部空间中并且被配置为使用由馈送自电源的高频电压生成的电场来激发所述电浆生成空间中的所述气体;以及基板保持单元,其能够在所述处理空间中保持所述基板。在被布置为接近所述天线的所述第二容器部件的表面上形成包含半导体材料的覆盖膜。
搜索关键词: 处理 装置
【主权项】:
一种基板处理装置,用于以电浆处理基板,包括:容器,包括形成处理所述基板的处理空间的第一容器部件,以及第二容器部件,所述第二容器部件形成其中生成电浆的电浆生成空间,并且在第二容器部件安装在第一容器部件上的状态下,所述电浆生成空间与所述处理空间连通;气体导入单元,用于将气体导入到所述容器中;电浆生成单元,包括天线,该天线设置在所述容器的外部空间中并且被配置为使用由馈送自电源的高频电压生成的电场来激发所述电浆生成空间中的所述气体;以及基板保持单元,其能够在所述处理空间中保持所述基板;其中,在被布置为接近所述天线的所述第二容器部件的表面上形成包含半导体材料的覆盖膜。
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