[发明专利]二极管，使用二极管的电路及制造方法

摘要

本发明提供包括门控二极管及浅沟槽隔离STI二极管的二极管、制造方法及有关电路，其无至少一个晕圈或口袋植入，借此减小所述二极管的电容。以此方式，所述二极管可用于具有对负载电容敏感的性能的电路及其它装置中，同时仍获得所述二极管的性能特性。门控二极管的这些特性包括快速接通时间及高传导性，从而使得所述门控二极管很好地适合于作为一个实例的静电放电ESD保护电路。二极管包括半导体衬底，所述半导体衬底具有井区域及所述井区域上的绝缘层。栅电极形成于所述绝缘层上。阳极区域及阴极区域提供于所述井区域中。形成P‑N结。在所述二极管中阻挡至少一个口袋植入以减小电容。

主权项

一种二极管，其包含：衬底；通过第一掺杂剂掺杂的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域具有与所述衬底相反的极性，所述第一掺杂区域位于所述衬底中，所述第一掺杂区域不具有口袋植入以便减小区结电容；在所述衬底中的口袋植入，所述口袋植入通过具有与所述第一掺杂剂相同极性的掺杂剂掺杂；及在所述口袋植入中的通过第二掺杂剂掺杂的第二掺杂区域，所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂的极性相反的极性，所述衬底的一部分使所述第一掺杂区域和所述口袋植入分离。