[发明专利]光电子半导体器件有效
申请号: | 201280012368.9 | 申请日: | 2012-01-27 |
公开(公告)号: | CN103415938A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 格哈德·库恩;阿莱斯·马尔基坦;克里斯蒂安·盖特纳;乌尔里希·施特雷佩尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L25/075;F21V13/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 在光电子半导体器件(1)的至少一个实施形式中,所述光电子半导体器件包括至少两个光电子半导体芯片(2),所述光电子半导体芯片位于共同的安装面(5)上。光学元件(3)沿着主放射方向(M)设置在半导体芯片(2)的下游并且与半导体芯片(2)隔开。沿着横向于主放射方向(M)的方向(L),光学元件(3)在过渡区域(30)中具有透射梯度。在安装面(5)的俯视图中,过渡区域(30)不覆盖半导体芯片(2)。 | ||
搜索关键词: | 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种光电子半导体器件(1),具有‑至少两个光电子半导体芯片(2),所述光电子半导体芯片(2)位于共同的安装面(5)上,和‑光学元件(3),所述光学元件(3)沿着主放射方向(M)设置在所述半导体芯片(2)的下游并且与所述半导体芯片(2)隔开,其中所述光学元件(3)沿着横向于所述主放射方向(M)的方向(L)在过渡区域(30)中具有透射梯度,并且在所述安装面(5)的俯视图中,所述过渡区域(30)不覆盖所述半导体芯片(2)。
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