[发明专利]用于发光装置的发光区域有效
| 申请号： | 201280011989.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103430333A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | J·拉默;S·丁 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光装置包括：具有n型III-V族半导体的第一层；与所述第一层相邻的第二层，所述第二层包括在电子与空穴复合时生成光的有源材料。在某些例子中，所述有源材料具有密度在大约1个V凹点/μm2与30个V凹点/μm2之间的一个或多个V凹点。所述发光装置包括与所述第二层相邻的第三层，所述第三层包括p型III-V族半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光 装置 区域 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(LED)，包括：第一层，其包括n型III‑V族半导体；第二层，其与所述第一层相邻，所述第二层包括在电子与空穴复合时生成光的有源材料；第三层，其与所述第二层相邻，所述第三层包括p型III‑V族半导体；以及硅基板，其与所述第一层或所述第三层之一相邻，其中所述有源材料包括一个或多个V凹点，所述一个或多个V凹点在所述有源层与所述第三层之间的界面处具有一个或多个开口，所述V凹点具有在大约1个V凹点/μm2与30个V凹点/μm2之间的密度。
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