[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

摘要

本发明提供能够抑制制造成本并且大幅改善电流驱动力的薄膜晶体管。通过热处理，被钛电极（65）夺取氧的IGZO层（45）成为低电阻区域（40b），未被夺取氧的IGZO层（45）作为高电阻区域（40a）残留。在该状态下，当对栅极电极（20）施加栅极电压时，接近与高电阻区域（40a）的边界的低电阻区域（40b）的电子分别向钛电极（65）侧移动。其结果，低电阻区域（40b）的长度变短，相反地，高电阻区域（40a）的长度变长相应的量。但是，电沟道长度（Le）变得比作为曝光装置的分辨率极限的源极/漏极间空间（Lch）短，电流驱动力变大。

主权项

一种薄膜晶体管，其形成在绝缘基板上，其特征在于，具备：在所述绝缘基板上形成的栅极电极；以覆盖所述栅极电极的方式形成的栅极绝缘膜；以夹着所述栅极电极的方式，隔开规定的距离在所述栅极绝缘膜上形成的源极电极和漏极电极；和沟道层，该沟道层包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层形成在由所述源极电极和所述漏极电极夹着的所述栅极绝缘膜上，该氧化物半导体层的一端和另一端分别与所述源极电极和所述漏极电极电连接，所述氧化物半导体层包括：具有第一电阻值的2个第一区域；和由所述2个第一区域夹着，具有比所述第一电阻值高的第二电阻值的第二区域，所述第二区域的长度比所述源极电极的端部与所述漏极电极的端部之间的长度短。