[发明专利]一种惯性传感器的制造方法无效
| 申请号： | 201280010090.1 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN103518138A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 史蒂法纳·雷纳德;安托万·菲利佩;若埃尔·科莱 | 申请（专利权）人： | 电子微系统公司 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08;G01P15/097;G01P1/02;G01P15/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 法国克*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造惯性传感器的方法。惯性传感器包括至少一个测量梁（23）和一个由标准质量块（13）以及可变形板（14）构成的活性体，所述活性体通过板（14）被保持悬浮在一个密闭腔内，测量梁（23）将与标准质量块（13）的一部分连接至前述密闭腔的内壁，所述测量梁（23）的厚度比标准质量块（13）小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 惯性 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种惯性传感器的制造方法，其特征在于，它至少包括：通过蚀刻第一基片（1）的第一活性层（10），形成至少一个活性体，所述活性体由一个标准质量块（13）和可变形板（14）构成，所述第一活性层（10）具有第一厚度（e1）；通过蚀刻第二基片（2）的第二活性层（20），形成至少一个测量梁（23），所述第二活性层（20）具有比所述第一厚度（e1）小的第二厚度（e2）；密封第一活性层（10）与第二活性层（20）；移除所述第一基片（1）的非活性层（11,12）；通过蚀刻第三基片（30）形成第一空腔（30）；密封所述第三基片（3）与所述第一基片（1）的活性层，所述活性体被置于所述第一空腔（30）内；移除所述第二基片（2）的非活性层（21,22）通过蚀刻第四基片（4）形成第二空腔（40）；以及密封所述第四基片（4）与所述第二基片（2）的活性层。
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