[发明专利]一种惯性传感器的制造方法

权利要求书

1.一种惯性传感器的制造方法，其特征在于，它至少包括：

通过蚀刻第一基片（1）的第一活性层（10），形成至少一个活性体，所述活性体由一个标准质量块（13）和可变形板（14）构成，所述第一活性层（10）具有第一厚度（e₁）；

通过蚀刻第二基片（2）的第二活性层（20），形成至少一个测量梁（23），所述第二活性层（20）具有比所述第一厚度（e₁）小的第二厚度（e₂）；密封第一活性层（10）与第二活性层（20）；

移除所述第一基片（1）的非活性层（11,12）；

通过蚀刻第三基片（30）形成第一空腔（30）；

密封所述第三基片（3）与所述第一基片（1）的活性层，所述活性体被置于所述第一空腔（30）内；

移除所述第二基片（2）的非活性层（21,22）

通过蚀刻第四基片（4）形成第二空腔（40）；以及

密封所述第四基片（4）与所述第二基片（2）的活性层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是进一步包括在所述活性体和所述测量梁之间形成电接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征是所述电接触在密封所述第一活性层与第二活性层时形成，这样的密封使得所述梁和活性体之间既有机械接触又有电接触。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于所述测量梁（23）由形成应变计的压阻材料制成。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于所述测量梁（23）是机械谐振器。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于所述第一厚度（e₁）和第二厚度（e₂）的比值大于或等于5.

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于进一步包括：

形成至少一个凹处（5），所述凹处（5）穿过所述第三基片（3）的厚度直至露出第一基片（1）；以及

在所述凹处（5）内沉积出电接触点（6）。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的方法，其特征在于包围所述测量梁和活性体的介质为真空。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的方法，其特征在于所述制造方法中的所有密封过程都在真空或者受控气体下进行。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的方法，其特征在于所述测量梁和标准质量块由单晶硅构成。

11.根据权利要求10所述方法，其特征在于所述测量梁由掺杂的单晶硅构成。

12.根据权利要求1至11中任意一项所述的方法，其特征在于所述第一和第二基片（1,2）都是SOI型。