[发明专利]光伏装置及其制造方法、光伏模块有效

专利信息
申请号: 201280007788.8 申请日: 2012-03-02
公开(公告)号: CN103370795A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 滨本哲 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 于丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 具备:第1导电类型的硅基板101,在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层102;受光面侧电极105,具有与杂质扩散层102电连接并且在硅基板101的一面侧隔开一定的间隔并列配置的多根栅格电极;以及背面侧电极104,形成于硅基板101的另一面侧,杂质扩散层102具有以第1浓度包含杂质元素的第1杂质扩散层102a、和以比第1浓度低的第2浓度包含杂质元素的第2杂质扩散层102b,对于所述第1杂质扩散层102a,将在所述硅基板的一面侧与受光面侧电极105的栅格电极的长度方向垂直的方向设为长度方向,并且第1杂质扩散层102a相对带状区域的面积比率是50%以下,其中将第1杂质扩散层102a中的与栅格电极的长度方向平行的方向的最大宽度设为所述带状区域的均等宽度,并且所述带状区域的长度方向的长度与第1杂质扩散层102a的长度方向的长度相同。
搜索关键词: 装置 及其 制造 方法 模块
【主权项】:
一种光伏装置,其特征在于,具备:第1导电类型的硅基板,在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层;受光面侧电极,具有与所述杂质扩散层电连接并且在所述硅基板的一面侧隔开一定间隔并列配置的多根栅格电极;以及背面侧电极,形成于所述硅基板的另一面侧,所述杂质扩散层具有以第1浓度包含所述杂质元素的第1杂质扩散层、和以比所述第1浓度低的第2浓度包含所述杂质元素的第2杂质扩散层,对于所述第1杂质扩散层,将在所述硅基板的一面侧与所述受光面侧电极的栅格电极的长度方向垂直的方向设为长度方向,并且所述第1杂质扩散层相对带状区域的面积比率是50%以下,其中将所述第1杂质扩散层中的与所述栅格电极的长度方向平行的方向的最大宽度设为所述带状区域的均等宽度,并且所述带状区域的长度方向的长度与所述第1杂质扩散层的长度方向的长度相同。
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