[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置有效
| 申请号： | 201280007709.3 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103348483A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 加藤纯男;北角英人 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够减少在沟道层的沟道宽度方向的端部流动的截止电流的薄膜晶体管及其制造方法。源极电极（160a）和漏极电极（160b）的宽度比沟道层（140）的宽度窄。由此，在沟道层（140），以包围源极电极（160a）和漏极电极（160b）的方式分别形成低电阻区域（140b）。此外，不仅在被两个低电阻区域（140b）夹着的区域，而且在沟道宽度方向的端部也留有电阻值比低电阻区域（140b）高的高电阻区域（140a）。其结果是，在TFT（100），高电阻区域（140a）不仅扩展到被源极电极（160a）与漏极电极（160b）夹着的区域而且扩展到沟道宽度方向的端部。由此，在沟道宽度方向的端部流动的截止电流减少。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种形成在绝缘基板上的薄膜晶体管，其特征在于，包括：在所述绝缘基板上形成的栅极电极；以覆盖所述栅极电极的方式形成的栅极绝缘膜；以夹着所述栅极电极的方式隔开规定的距离地形成在所述栅极绝缘膜上的源极电极和漏极电极；和沟道层，其在由所述源极电极和所述漏极电极夹着的区域形成，且包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层的一端和另一端与所述源极电极和所述漏极电极分别电连接，所述沟道层具有比所述源极电极和所述漏极电极宽的宽度，且包括：具有第一电阻值的两个第一区域；和由所述两个第一区域夹着且具有比所述第一电阻值高的第二电阻值的第二区域，所述第二区域扩展到沟道宽度方向的端部。
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