[发明专利]光伏太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及用于将入射电磁辐射转化成电能的光伏太阳能电池，包括：至少一个在硅衬底内形成的基极掺杂型基极区；至少一个发射极掺杂型发射极区，该发射极掺杂型是与基极掺杂型相反的掺杂型；至少一个金属基极接触结构，该基极接触结构与基极区导电相连，和至少一个金属发射极接触结构，该发射极接触结构与发射极区导电相连，其中基极区和发射极区如此布置，在基极区和发射极区之间至少部分形成pn结。重要的是，在基极旁路区内该基极接触结构与发射极区重叠，并且在该重叠区内形成在基极接触结构和发射极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属-半导体触点形式或呈金属-绝缘子-半导体触点形式，和/或在发射极旁路区内该发射极接触结构与基极区重叠，并且在该重叠区内形成在发射极接触结构和基极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属-半导体触点或者金属-绝缘子-半导体触点形式。本发明还涉及太阳能电池制造方法。

主权项

一种用于将入射电磁辐射转化为电能的光伏太阳能电池(1,1',1")，其包括：至少一个在硅衬底(10)内形成的基极掺杂型基极区，至少一个发射极掺杂型发射极区，该发射极掺杂型是与该基极掺杂型相反的掺杂型，至少一个金属基极接触结构(4)，该基极接触结构(4)与该基极区导电相连，和至少一个金属发射极接触结构(5)，该发射极接触结构(5)与该发射极区导电相连，其中，该基极区和该发射极区如此布置，即，在该基极区和该发射极区之间至少部分形成pn结，其特征是，在基极旁路区内，该基极接触结构(4)与该发射极区重叠，并且在该重叠区(6,6',6"a,6"b)内至少在部分区域中形成在基极接触结构(4)和发射极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属‑半导体触点形式，和/或在发射极旁路区域内，该发射极接触结构(5)与该基极区重叠，并且在该重叠区(6,6',6"a,6"b)内至少在部分区域中形成在该发射极接触结构(5)和基极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属‑半导体触点形式。