[发明专利]非易失性存储元件的数据写入方法和非易失性存储装置

摘要

提供能够抑制电阻值的摆动现象的影响的非易失性存储元件的数据写入方法。包括以下步骤：第1施加步骤（S120），施加用于使非易失性存储元件（100）的电阻状态从第1状态变化为第2状态的第1电压脉冲；第2施加步骤（S121），施加极性与第1电压脉冲相同、且电压值的绝对值小于第1电压脉冲的第2电压脉冲；判定步骤（S122），判定非易失性存储元件（100）的电阻状态是否为第2状态；以及第3施加步骤（S123），在判定为非易失性存储元件（100）的电阻状态不是第2状态的情况下，施加使非易失性存储元件（100）的电阻状态从第1状态变化为第2状态的第3电压脉冲。

主权项

一种非易失性存储元件的数据写入方法，该非易失性存储元件具有第1电极、第2电极以及介于所述第1电极和所述第2电极之间的由金属氧化物构成的电阻变化层，其中，所述数据写入方法包括以下步骤：第1施加步骤，对所述第1电极和所述第2电极之间施加用于使所述非易失性存储元件的电阻状态从第1状态变化为第2状态的第1电压脉冲；第2施加步骤，在所述第1施加步骤之后，对所述第1电极和所述第2电极之间施加极性与所述第1电压脉冲相同、且电压值的绝对值小于所述第1电压脉冲的第2电压脉冲；判定步骤，在所述第2施加步骤之后，判定所述非易失性存储元件的电阻状态是否为所述第2状态；以及第3施加步骤，在所述判定步骤中判定为所述非易失性存储元件的电阻状态不是所述第2状态的情况下，对所述第1电极和所述第2电极之间施加用于使所述非易失性存储元件的电阻状态从所述第1状态变化为所述第2状态的第3电压脉冲。