[实用新型]等离子体刻蚀处理装置有效
| 申请号： | 201220747252.7 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203013674U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张冬平;杨佐东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种等离子体刻蚀处理装置，所述等离子体刻蚀处理装置包括：等离子体工艺腔室、聚焦环及聚焦环冷却系统。其中，所述聚焦环及聚焦环冷却系统均设置于所述等离子体工艺腔室中，所述聚焦环冷却系统能够控制聚焦环的温度。本实用新型提供的等离子体刻蚀处理装置采用聚焦环冷却系统控制聚焦环的温度，聚焦环的温度不会影响半导体晶圆边缘的刻蚀速度，半导体晶圆边缘刻蚀的均匀性得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，包括：等离子体工艺腔室、聚焦环及聚焦环冷却系统；其中，所述聚焦环及聚焦环冷却系统均设置于所述等离子体工艺腔室中；所述聚焦环冷却系统能够控制所述聚焦环的温度。
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