[实用新型]一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置有效
申请号: | 201220744936.1 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN203133743U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 刘升;陆音 | 申请(专利权)人: | 西安奇维科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/32 | 分类号: | G06F1/32 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 潘宪曾 |
地址: | 710077 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置,包括处理器,与处理器连接的降压转换器,以及用于调节降压转换器的输出电压的外部第一电阻R1和第二电阻R2,处理器连接MOSFET管栅极,控制MOSFET管的开关,在外部N沟道MOSFET设置与R2并连的第三电阻R3。该方案使用外部MOSFET管,在不影响处理器正常工作的情况下,改变处理器在休眠或等待响应时的供电电压,此方案可在一定程度上提高电源利用效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 外部 mosfet 嵌入式 系统 节能 装置 | ||
【主权项】:
一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置,包括处理器,与处理器连接的降压转换器,以及用于调节降压转换器的输出电压的外部第一电阻R1 和第二电阻R2,其特征在于 :所述处理器连接MOSFET管栅极,控制MOSFET管的开关,在外部N 沟道 MOSFET 设置与 R2 并连的第三电阻R3。
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