[实用新型]一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置有效

专利信息
申请号: 201220744936.1 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN203133743U 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 刘升;陆音 申请(专利权)人: 西安奇维科技股份有限公司
主分类号: G06F1/32 分类号: G06F1/32
代理公司: 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 代理人: 潘宪曾
地址: 710077 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置,包括处理器,与处理器连接的降压转换器,以及用于调节降压转换器的输出电压的外部第一电阻R1和第二电阻R2,处理器连接MOSFET管栅极,控制MOSFET管的开关,在外部N沟道MOSFET设置与R2并连的第三电阻R3。该方案使用外部MOSFET管,在不影响处理器正常工作的情况下,改变处理器在休眠或等待响应时的供电电压,此方案可在一定程度上提高电源利用效率。
搜索关键词: 一种 基于 外部 mosfet 嵌入式 系统 节能 装置
【主权项】:
一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置,包括处理器,与处理器连接的降压转换器,以及用于调节降压转换器的输出电压的外部第一电阻R1 和第二电阻R2,其特征在于 :所述处理器连接MOSFET管栅极,控制MOSFET管的开关,在外部N 沟道 MOSFET 设置与 R2 并连的第三电阻R3。
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