[实用新型]一种IGBT驱动电路

摘要

本实用新型涉及一种IGBT驱动电路。包括上桥电路和下桥电路，上桥电路包括IGBT模块T1和第一吸收电路，下桥电路包括IGBT模块T2和第二吸收电路。本实用新型采用可靠简单的第一吸收电路和第二吸收电路，解决单电源自举驱动电路中存在的IGBT关断状态出现门极尖峰电压所带来的安全隐患，以充分发挥单电源自举驱动电路在IGBT驱动中的低成本、PCB布板尺寸小的优点，最终实现了低成本、小尺寸、高可靠性的IGBT驱动。

主权项

一种IGBT驱动电路，包括上桥电路(10)和下桥电路(20)，其特征在于，所述上桥电路(10)包括IGBT模块T1和第一吸收电路(11)，所述第一吸收电路(11)包括NPN管Q1、PNP管Q2和电容C1，PNP管Q2发射极连接IGBT模块T1的门极，PNP管Q2集电极连接IGBT模块T1的发射极，PNP管Q2的基极与IGBT模块T1的门极之间串联电阻R5，PNP管Q2的基极连接NPN管Q1的集电极，NPN管Q1的发射极通过驱动电阻Rg1连接IGBT模块T1的门极，NPN管Q1的基极与前端电源VPP之间串联电阻R1，NPN管Q1的基极和发射极之间并联电阻R2和电容C1；所述下桥电路(20)包括IGBT模块T2和第二吸收电路(21)，所述第二吸收电路(21)包括NPN管Q3、PNP管Q4和电容C2，PNP管Q4发射极连接IGBT模块T2的门极，PNP管Q4集电极连接IGBT模块T2的发射极，PNP管Q4的基极与IGBT模块T2的门极之间串联电阻R6，PNP管Q4的基极连接NPN管Q3的集电极，NPN管Q3的发射极通过驱动电阻Rg2连接IGBT模块T2的门极，NPN管Q3的基极与前端电源VPP之间串联电阻R3，NPN管Q3的基极和发射极之间并联电阻R4和电容C2。