[实用新型]薄膜形成装置有效

专利信息
申请号: 201220694213.5 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN203080057U 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 林达也;姜友松;佐藤望;盐野一郎;长江亦周 申请(专利权)人: 株式会社新柯隆
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型提供一种薄膜形成装置,其具备离子源,其中,电子枪、离子源都不会因彼此发出的电子而发生干涉,从而能够稳定地动作。对于离子源,使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线,使所述离子源的电极部位于相对于基准线呈±45°的范围以外的位置,且所述离子源配置成,所述离子源的电极中心与使所述基体保持构件旋转的旋转构件的中心之间的水平距离(L)相对于所述基体保持构件的直径(D)的比(L/D)在0.3以上、0.5以下的范围。
搜索关键词: 薄膜 形成 装置
【主权项】:
一种薄膜形成装置,所述薄膜形成装置在真空容器内使蒸镀物质蒸镀至基体,其特征在于, 所述薄膜形成装置具备: 基体保持构件,所述基体保持构件配设在所述真空容器内,用于保持多个所述基体; 旋转构件,所述旋转构件用于使所述基体保持构件旋转; 至少一个蒸镀构件,所述蒸镀构件具备与所述基体对置设置的电子枪和用于收纳蒸镀物质的坩埚;以及 离子源,所述离子源对所述基体照射离子, 对于所述离子源,使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线,使所述离子源的电极位于相对于该基准线呈±45°的范围以外的位置,且所述离子源配置成,使得所述离子源的电极中心与用于使所述基体保持构件旋转的旋转构件的中心之间的水平距离L相对于所述基体保持构件的直径D的比L/D在0.3以上、0.5以下的范围。
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