[实用新型]一种能倍频的KTP电光调Q器件有效
| 申请号： | 201220657568.7 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203119286U | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张玉萍;刘陵玉;张晓;张洪艳;张会云 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115;H01S3/109 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266590 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种能倍频的KTP电光调Q器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括从左到右依次设置的四块低电导率、Ⅱ类倍频临界相位匹配角度切割的KTP晶体，依次旋转90°放置；在第一、三块KTP晶体的上、下通电面镀金膜，在第二、四块KTP晶体的前、后通电面镀金膜；从第一块晶体的上通电面、第二块晶体的前通电面、第三块晶体的下通电面和第四块晶体的后通电面引出金线，连接到正电极；从四块晶体的另一侧通电面引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本实用新型实现倍频和电光调Q两种功能的同时补偿了走离角和静态双折射相位延迟，消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倍频 ktp 电光 器件 | ||
【主权项】：
一种能倍频的KTP电光调Q器件，包括外壳、电极、电光晶体，其特征在于：电光晶体包括四块以Ⅱ类临界相位匹配角度切割的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体（1）；相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）；相对于第一块KTP晶体（1）旋转180°旋转放置的第三块KTP晶体（3）；相对于第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）；在第一块KTP晶体（1）的上通电面镀金膜（5），下通电面镀金膜（6），在第二块KTP晶体（2）的前通电面镀金膜（7），后通电面镀金膜（8），在第三块KTP晶体（3）的上通电镀金膜（9），下通电镀金膜（10），在第四块KTP晶体（4）的前通电镀金膜（11），后通电镀金膜（12）；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜（5）、第二块KTP晶体的前通电面镀金膜（7）、第三块KTP晶体的下通电面镀金膜（10）和第四块KTP晶体的后通电面镀金膜（12）引出金线，连接到正电极（13）；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜（6）、第二块KTP晶体的后通电面镀金膜（8）、第三块KTP晶体的上通电面镀金膜（9）和第四块KTP晶体的前通电面镀金膜（11）引出金线，连接到负电极（14）；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。
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