[实用新型]一种能倍频的KTP电光调Q器件

权利要求书

1.一种能倍频的KTP电光调Q器件，包括外壳、电极、电光晶体，其特征在于：

电光晶体包括四块以Ⅱ类临界相位匹配角度切割的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体（1）；相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）；相对于第一块KTP晶体（1）旋转180°旋转放置的第三块KTP晶体（3）；相对于第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）；

在第一块KTP晶体（1）的上通电面镀金膜（5），下通电面镀金膜（6），在第二块KTP晶体（2）的前通电面镀金膜（7），后通电面镀金膜（8），在第三块KTP晶体（3）的上通电镀金膜（9），下通电镀金膜（10），在第四块KTP晶体（4）的前通电镀金膜（11），后通电镀金膜（12）；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜（5）、第二块KTP晶体的前通电面镀金膜（7）、第三块KTP晶体的下通电面镀金膜（10）和第四块KTP晶体的后通电面镀金膜（12）引出金线，连接到正电极（13）；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜（6）、第二块KTP晶体的后通电面镀金膜（8）、第三块KTP晶体的上通电面镀金膜（9）和第四块KTP晶体的前通电面镀金膜（11）引出金线，连接到负电极（14）；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。

2.根据权利要求1所述的一种能倍频的KTP电光调Q器件，其特征在于：

第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）均为低电导率的KTP晶体。

3. 根据权利要求1所述的一种能倍频的KTP电光调Q器件，其特征在于： 

第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）均采用倍频Ⅱ类临界相位匹配，切割角度为q=90°，j=24.1°。

4. 根据权利要求1所述的一种能倍频的KTP电光调Q器件，其特征在于： 

第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）的通光面为正方形。

5.根据权利要求1所述的一种能倍频的KTP电光调Q器件，其特征在于：

第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）相对的内通光面用绝缘透明的光胶相连，外通光面镀1064nm和532nm双色增透膜。

6. 根据权利要求1所述的一种能倍频的KTP电光调Q器件，其特征在于：

第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）依次放置，内通光面和外通光面均镀1064nm和532nm双色增透膜。