[实用新型]硅片缺陷检测装置有效
| 申请号： | 201220596967.7 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN203011849U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 肖颖婕;刘小宇;黄忆华;张玮华;谢均 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种硅片缺陷检测装置，它包括硅片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机；硅片光致发光激发机构设置在硅片的正下方激发硅片发光，红外成像机构设置在硅片的正上方检测硅片的发光信号并将其传输到计算机，计算机通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片的缺陷参数。本实用新型的硅片缺陷检测装置能方便快速地检测出硅片材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且实现了无接触检测，具有结构简单、使用方便、缺陷参数检测可靠精确等优点和特点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 缺陷 检测 装置 | ||
【主权项】：
一种硅片缺陷检测装置，设置在生产线中硅片的路径上，其特征在于：包括硅片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机；硅片光致发光激发机构设置在硅片的正下方激发硅片发光，红外成像机构设置在硅片的正上方检测硅片的发光信号并将其传输到计算机。
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