[实用新型]巨磁阻式压力传感器有效

专利信息
申请号: 201220541990.6 申请日: 2012-10-22
公开(公告)号: CN202853818U 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 刘泽文;李孟委;李锡广;孙振源 申请(专利权)人: 清华大学;中北大学
主分类号: G01L1/12 分类号: G01L1/12
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贾玉健
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种巨磁阻式压力传感器,包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩,保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔,本实用新型利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力,被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上,使其发生离面形变,导致磁场发生变化,根据巨磁阻效应,巨磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化,电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化,由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量。本实用新型结构合理,检测电路简单,灵敏度高,适合微型化。
搜索关键词: 磁阻 压力传感器
【主权项】:
一种巨磁阻式压力传感器,其特征在于,包括: 键合基板(1); 铁磁性薄膜承载体(11),设置在键合基板(1)上方,上部分为弹性薄膜(4),下部分为垫衬框体(2),垫衬框体(2)四周与键合基板(1)相连接; 铁磁性薄膜(3),设置在铁磁性薄膜承载体(11)的弹性薄膜(4)的整个下表面; 巨磁敏电阻(8),设置在键合基板(1)上表面中心位置; 保护罩(6),固定在铁磁性薄膜承载体(11)的上方,保护罩(6)上表面的中间设置连通保护罩(6)的内腔(24)和外界的通孔(7)。
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