[实用新型]巨磁阻式压力传感器

权利要求书

1.一种巨磁阻式压力传感器，其特征在于，包括： 

键合基板（1）； 

铁磁性薄膜承载体（11），设置在键合基板（1）上方，上部分为弹性薄膜（4），下部分为垫衬框体（2），垫衬框体（2）四周与键合基板（1）相连接； 

铁磁性薄膜（3），设置在铁磁性薄膜承载体（11）的弹性薄膜（4）的整个下表面； 

巨磁敏电阻（8），设置在键合基板（1）上表面中心位置； 

保护罩（6），固定在铁磁性薄膜承载体（11）的上方，保护罩（6）上表面的中间设置连通保护罩（6）的内腔（24）和外界的通孔（7）。 

2.根据权利要求1所述的巨磁阻式压力传感器，其特性在于，所述铁磁性薄膜承载体（11）的X方向的长度小于键合基板（1）的X方向的长度，键合基板（1）相对于铁磁性薄膜承载体（11）有一个延伸区域。 

3.根据权利要求1所述的巨磁阻式压力传感器，其特性在于，所述弹性薄膜（4）上表面中心位置刻制一个沉孔（5），沉孔（5）的位置与巨磁敏电阻（8）的位置正对。 

4.根据权利要求3所述的巨磁阻式压力传感器，其特征在于，所述沉孔（5）向下刻至铁磁性薄膜（3）的上表面，以使压力直接作用于铁磁性薄膜（3）上导致其形变，且铁磁性薄膜（3）上表面生长有一层起保护作用的氧化薄膜。 

5.根据权利要求1所述的巨磁阻式压力传感器，其特征在于，所述垫衬框体（2）为中空框体结构，框体下面与键合基板相连，上面覆盖弹性薄膜（4），三者形成真空腔（25）。 

6.根据权利要求1所述的巨磁阻式压力传感器，其特征在于，所述的铁磁性薄膜（3）为多层结构。 

7.根据权利要求6所述的巨磁阻式压力传感器，其特征在于，所述多层结构是自上到下依次为：二氧化硅层（12）、二氧化钛层（13）、铂层（14）、铁酸钴层（15）、铁酸铋层（16）。 

8.根据权利要求1所述的巨磁阻式压力传感器，其特征在于，所述巨磁敏电阻（8）通过巨磁敏电阻引出线（9）与巨磁敏电阻电极（10）相连。 

9.根据权利要求8所述的巨磁阻式压力传感器，其特征在于，所述巨磁敏电阻电极（10）设置在键合基板（1）的延伸区域的上表面。 

10.根据权利要求1所述的巨磁阻式压力传感器，其特征在于，所述巨磁敏电阻（8）为多层结构，自上到下依次为上钽层（17）、铁锰层（18）、钴层（19）、铜层（20）、镍铁层（21）、下钽层（22）以及绝缘层（23）。