[实用新型]提升MOS电晶体散热能力的电路结构有效

专利信息
申请号: 201220520343.7 申请日: 2012-10-11
公开(公告)号: CN202841039U 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 姚保林;胡庆武 申请(专利权)人: 深圳兴奇宏科技有限公司
主分类号: H02P7/28 分类号: H02P7/28
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
地址: 518104 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构,应用于一马达,该电路结构包括一马达驱动单元及一信号处理单元,该信号处理单元连接该马达驱动单元,通过该信号处理单元分别维持该马达驱动单元的第一、三开关件的导通电压恒定,并再分别提高增大该马达驱动单元的第二、四开关件的导通电压,借以有效达到提升该第一、二、三、四开关件的散热能力的效果。
搜索关键词: 提升 mos 电晶体 散热 能力 电路 结构
【主权项】:
一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构,应用于一马达,其特征在于,该电路结构包括:一马达驱动单元,包含一第一开关件、一第二开关件、一第三开关件及一第四开关件,该第一、二、三、四开关件各具有一第一端、一第二端及一第三端,该第一、三开关件的第三端分别连接对应该第二、四开关件的第三端,该第一、二开关件的第二端分别连接对应该第三、四开关件的第二端;以及一信号处理单元,包含:一第一稳压器,其一端连接该第一开关件的第一端,其另一端分别连接该第一开关件的第二端及一输入电压,并用以稳压该第一开关件的第一、二端间的电压;一第二稳压器,其一端连接该第三开关件的第一端,其另一端分别连接该第三开关件的第二端及该输入电压,并用以稳压该第三开关件的第一、二端间的电压;一第一增压器,连接相对该第二开关件的第一端,其将接收一第一讯号的电压提高以输出至该第二开关件的第一端;及一第二增压器,连接相对该第四开关件的第一端,其将接收一第二讯号的电压提高以输出至该第四开关件的第一端。
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