[实用新型]一种背照式影像传感器有效
| 申请号： | 201220500208.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202796959U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 肖海波;费孝爱 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种背照式影像传感器，包括：硅基板，所述硅基板中形成有感光二极管区域，所述感光二极管区域靠近所述硅基板的第一面；介质层，所述介质层覆盖所述硅基板的第二面，所述介质层中形成有第一隔离区。本实用新型在传统的背照式影像传感器上进行了改进，通过介质层中形成有第一隔离区，在保留减少串扰现象优点的同时，避免对硅基板的损伤，降低了由于硅基板损伤所带来的背照式影像传感器的性能退化，且简化了制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 影像 传感器 | ||
【主权项】：
一种背照式影像传感器，其特征在于，包括：硅基板，所述硅基板中形成有感光二极管区域，所述感光二极管区域靠近所述硅基板的第一面；介质层，所述介质层覆盖所述硅基板的第二面，所述介质层中形成有第一隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
